SSD Samsung

30.72 ТБ, 2.5", SAS 3, микросхемы TLC

6.4 ТБ, 2.5", SAS 3, микросхемы TLC, последовательный доступ: 2100/2000 МБайт/с, случайный доступ: 400000/90000 IOps

2.5", SAS 3, микросхемы TLC, последовательный доступ: 2100/1800 MBps, случайный доступ: 400000/65000 IOps

M.2, PCI Express 3.0 x4, последовательный доступ: 3000/1400 MBps, случайный доступ: 480000/42000 IOps

3.84 ТБ, 2.5", PCI Express 5.0 x4 (U.3), микросхемы TLC

2.5", PCI Express 4.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 7000/3800 MBps, случайный доступ: 1500000/135000 IOps

2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MBps, случайный доступ: 98000/31000 IOps

2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MBps, случайный доступ: 98000/31000 IOps

2.5", SAS 3, микросхемы TLC, последовательный доступ: 2100/1000 MBps, случайный доступ: 380000/40000 IOps

1.6 ТБ, 2.5", SAS 3, микросхемы TLC, последовательный доступ: 2100/1800 МБайт/с, случайный доступ: 430000/60000 IOps

плата расширения, PCI Express 4.0 x8 (NVMe 1.2), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/2400 MBps, случайный доступ: 1000000/200000 IOps

1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x2 (NVMe 2.0), контроллер Samsung Piccolo, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5000/4200 МБайт/с, случайный доступ: 680000/800000 IOps

2.5", PCI Express 4.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 7000/3800 MBps, случайный доступ: 1450000/135000 IOps

2.5", SAS 3, микросхемы TLC, последовательный доступ: 2100/2000 MBps, случайный доступ: 450000/90000 IOps

2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/470 MBps, случайный доступ: 97000/32000 IOps

2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MBps, случайный доступ: 98000/31000 IOps

M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3000/1400 MBps, случайный доступ: 480000/42000 IOps

3.2 ТБ, 2.5", SAS 3, микросхемы TLC, последовательный доступ: 2100/2000 МБайт/с, случайный доступ: 450000/90000 IOps

2.5", PCI Express 4.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 7000/2400 MBps, случайный доступ: 800000/100000 IOps

2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7450/6900 МБайт/с, случайный доступ: 1400000/1550000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5

2 ТБ, M.2, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5100 MBps, случайный доступ: 1000000/1000000 IOps, совместимость с PS5