Найдено 77 товаров
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MBps, случайный доступ: 98000/31000 IOps
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MBps, случайный доступ: 98000/31000 IOps
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/520 MBps, случайный доступ: 98000/29000 IOps
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/520 MBps, случайный доступ: 98000/29000 IOps
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MBps, случайный доступ: 98000/31000 IOps
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MBps, случайный доступ: 98000/31000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3000/1400 MBps, случайный доступ: 480000/42000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3000/1400 MBps, случайный доступ: 480000/42000 IOps
2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MBps, случайный доступ: 98000/88000 IOps
2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MBps, случайный доступ: 98000/88000 IOps
2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MBps, случайный доступ: 98000/88000 IOps
2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MBps, случайный доступ: 98000/88000 IOps
2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MBps, случайный доступ: 98000/88000 IOps
2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MBps, случайный доступ: 98000/88000 IOps
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MBps, случайный доступ: 98000/31000 IOps
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MBps, случайный доступ: 98000/31000 IOps
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7450/6900 МБайт/с, случайный доступ: 1600000/1550000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7450/6900 МБайт/с, случайный доступ: 1600000/1550000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
1.6 ТБ, 2.5", SAS 3, микросхемы TLC, последовательный доступ: 2100/1800 МБайт/с, случайный доступ: 430000/60000 IOps
1.6 ТБ, 2.5", SAS 3, микросхемы TLC, последовательный доступ: 2100/1800 МБайт/с, случайный доступ: 430000/60000 IOps
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/470 MBps, случайный доступ: 97000/32000 IOps
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/470 MBps, случайный доступ: 97000/32000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4, контроллер Samsung Polaris, микросхемы 3D V-NAND, последовательный доступ: 3500/2100 MBps, случайный доступ: 330000/330000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4, контроллер Samsung Polaris, микросхемы 3D V-NAND, последовательный доступ: 3500/2100 MBps, случайный доступ: 330000/330000 IOps
2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MGX, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MBps, случайный доступ: 98000/88000 IOps
2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MGX, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MBps, случайный доступ: 98000/88000 IOps
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7450/6900 МБайт/с, случайный доступ: 1600000/1550000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7450/6900 МБайт/с, случайный доступ: 1600000/1550000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
3.2 ТБ, 2.5", SAS 3, микросхемы TLC, последовательный доступ: 2100/2000 МБайт/с, случайный доступ: 450000/90000 IOps
3.2 ТБ, 2.5", SAS 3, микросхемы TLC, последовательный доступ: 2100/2000 МБайт/с, случайный доступ: 450000/90000 IOps
плата расширения, PCI Express 4.0 x8 (NVMe 1.2), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/2400 MBps, случайный доступ: 1000000/200000 IOps
плата расширения, PCI Express 4.0 x8 (NVMe 1.2), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/2400 MBps, случайный доступ: 1000000/200000 IOps
2.5", PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3200/2000 MBps, случайный доступ: 540000/50000 IOps
2.5", PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3200/2000 MBps, случайный доступ: 540000/50000 IOps
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/470 MBps, случайный доступ: 97000/32000 IOps
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/470 MBps, случайный доступ: 97000/32000 IOps
2.5", SAS 3, микросхемы TLC, последовательный доступ: 2100/2000 MBps, случайный доступ: 400000/90000 IOps
2.5", SAS 3, микросхемы TLC, последовательный доступ: 2100/2000 MBps, случайный доступ: 400000/90000 IOps
2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MGX, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MBps, случайный доступ: 98000/88000 IOps
2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MGX, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MBps, случайный доступ: 98000/88000 IOps
15.36 ТБ, 2.5", SAS 3, микросхемы TLC
15.36 ТБ, 2.5", SAS 3, микросхемы TLC
Ваше мнение важно для нас для улучшения нашего сервиса