Найдено 526 товаров
2 ТБ, M.2 2230, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Silicon Motion SM2269XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5000/3500 МБайт/с, SLC-кэш
2 ТБ, M.2 2230, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Silicon Motion SM2269XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5000/3500 МБайт/с, SLC-кэш
960 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/520 МБайт/с, случайный доступ: 95000/65000 IOps
960 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/520 МБайт/с, случайный доступ: 95000/65000 IOps
плата расширения, PCI Express 3.0 x8, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5400/2000 MBps, случайный доступ: 750000/135000 IOps
плата расширения, PCI Express 3.0 x8, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5400/2000 MBps, случайный доступ: 750000/135000 IOps
2.5", SATA 3.0, микросхемы MLC, последовательный доступ: 540/520 MBps, случайный доступ: 97000/29000 IOps
2.5", SATA 3.0, микросхемы MLC, последовательный доступ: 540/520 MBps, случайный доступ: 97000/29000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), контроллер WD Black G2, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7300/6600 МБайт/с, случайный доступ: 1200000/1100000 IOps, совместимость с PS5
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), контроллер WD Black G2, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7300/6600 МБайт/с, случайный доступ: 1200000/1100000 IOps, совместимость с PS5
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4, контроллер Silicon Motion SM2508, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 14000/13000 МБайт/с, случайный доступ: 1950000/1650000 IOps, совместимость с PS5
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4, контроллер Silicon Motion SM2508, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 14000/13000 МБайт/с, случайный доступ: 1950000/1650000 IOps, совместимость с PS5
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4 (NVMe 2.0), последовательный доступ: 11500/9000 МБайт/с, случайный доступ: 1300000/1400000 IOps, SLC-кэш
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4 (NVMe 2.0), последовательный доступ: 11500/9000 МБайт/с, случайный доступ: 1300000/1400000 IOps, SLC-кэш
1.6 ТБ, 2.5", PCI Express 4.0 x4 (NVMe, U.2), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5300/1900 МБайт/с, случайный доступ: 700000/200000 IOps
1.6 ТБ, 2.5", PCI Express 4.0 x4 (NVMe, U.2), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5300/1900 МБайт/с, случайный доступ: 700000/200000 IOps
1 ТБ, M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7400/6400 MBps, случайный доступ: 1014000/1079000 IOps, совместимость с PS5
1 ТБ, M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7400/6400 MBps, случайный доступ: 1014000/1079000 IOps, совместимость с PS5
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), последовательный доступ: 5300/4000 МБайт/с, случайный доступ: 500000/630000 IOps
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), последовательный доступ: 5300/4000 МБайт/с, случайный доступ: 500000/630000 IOps
2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
7.68 ТБ, 2.5", PCI Express 4.0 x4 (NVMe, U.2), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7100/4200 МБайт/с, случайный доступ: 1100000/220000 IOps
7.68 ТБ, 2.5", PCI Express 4.0 x4 (NVMe, U.2), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7100/4200 МБайт/с, случайный доступ: 1100000/220000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4, контроллер Phison S5031-E31T, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 10300/8700 МБайт/с, случайный доступ: 1300000/1400000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4, контроллер Phison S5031-E31T, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 10300/8700 МБайт/с, случайный доступ: 1300000/1400000 IOps
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 2400/1800 МБайт/с
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 2400/1800 МБайт/с
3.84 ТБ, 2.5", PCI Express 4.0 x4 (NVMe, U.2), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 6700/3600 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/200000 IOps
3.84 ТБ, 2.5", PCI Express 4.0 x4 (NVMe, U.2), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 6700/3600 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/200000 IOps
2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, последовательный доступ: 550/510 МБайт/с, случайный доступ: 80000/70000 IOps
2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, последовательный доступ: 550/510 МБайт/с, случайный доступ: 80000/70000 IOps
500 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 6900/5000 МБайт/с, случайный доступ: 800000/1000000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
500 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 6900/5000 МБайт/с, случайный доступ: 800000/1000000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
960 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/510 МБайт/с, случайный доступ: 95000/36000 IOps
960 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/510 МБайт/с, случайный доступ: 95000/36000 IOps
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4 (NVMe 2.0), контроллер Phison PS5026-E26, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 11700/9500 МБайт/с, DRAM-буфер
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4 (NVMe 2.0), контроллер Phison PS5026-E26, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 11700/9500 МБайт/с, DRAM-буфер
960 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/520 МБайт/с
960 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/520 МБайт/с
15.36 ТБ, 2.5", SAS 3, микросхемы TLC
15.36 ТБ, 2.5", SAS 3, микросхемы TLC
Ваше мнение важно для нас для улучшения нашего сервиса