Оперативная память

64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 6000 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-77, напряжение 1.35 В

4 модуля, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.2 В

4 модуля, частота 3600 МГц, CL 14T, тайминги 14-15-15-35, напряжение 1.45 В

2 модуля, частота 1600 МГц, CL 10T, тайминги 10-10-10, напряжение 1.5 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 5200 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-77, напряжение 1.25 В

64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 5200 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40, напряжение 1.25 В

32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В

32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В

2 модуля, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В

2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-36, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 2933 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В

4 модуля, частота 3600 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20, напряжение 1.35 В

64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 6400 МГц, CL 32T, тайминги 32-40-40-84, напряжение 1.4 В

1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В

2 модуля, частота 3600 МГц, CL 16T, тайминги 16-22-22-42, напряжение 1.45 В

2 модуля, частота 4400 МГц, CL 19T, напряжение 1.45 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6400 МГц, CL 32T, тайминги 32-40-40-84, напряжение 1.4 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В

2 модуля, частота 1600 МГц, CL 10T, тайминги 10-10-10, напряжение 1.5 В

16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 4400 МГц, CL 19T, тайминги 19-25-25-45, напряжение 1.45 В

2 модуля, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-19-19-39, напряжение 1.35 В